预见2020：《2020年中国第三代半导体产业全景图谱》（附市场规模、应用市场结构、投资布局等）

第三代半导体指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，也称为宽禁带半导体材料。半导体材料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体材料;第二阶段是以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表;而以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、等宽带半导体原料为主的第三代半导体材料，可以被广泛应用于消费电子、照明、新能源汽车、导弹、卫星等各个领域，且具备众多的优良性能，可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。

我国第三代半导体产业发展缘自2013年科技部863计划，计划将之列为战略发展产业。2016年国务院国家新产业发展领导小组将其列为重点发展方向，除此之外，福建等27个地区陆续推出近30条第三代半导体产业相关政策，2016年为第三代半导体产业元年。

2019年，国家级战略《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》明确要求长江三角洲区域加快培育布局第三代半导体产业。2020年，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。

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